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RF6C055BCTCR

RF6C055BCTCR

MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Numéro d'article
RF6C055BCTCR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-SMD, Flat Leads
Package d'appareil du fournisseur
TUMT6
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR Composants électroniques
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