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QS8M51TR

QS8M51TR

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Numéro d'article
QS8M51TR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
1.5W
Package d'appareil du fournisseur
TSMT8
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2A, 1.5A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
325 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
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Mots-clés de QS8M51TR
QS8M51TR Composants électroniques
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