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QS8M12TCR

QS8M12TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Numéro d'article
QS8M12TCR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
1.5W
Package d'appareil du fournisseur
TSMT8
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
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Coordonnées
Mots-clés de QS8M12TCR
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