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QS5U17TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

Numéro d'article

QS5U17TR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Package d'appareil du fournisseur

TSMT5

Dissipation de puissance (maximum)

900mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Isolated)

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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