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ES6U3T2CR

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Numéro d'article

ES6U3T2CR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-563, SOT-666

Package d'appareil du fournisseur

6-WEMT

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Isolated)

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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