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EMD29T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Numéro d'article
EMD29T2R
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-563, SOT-666
Puissance - Max
120mW
Package d'appareil du fournisseur
EMT6
Type de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)
50V, 12V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
500nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Fréquence - Transition
250MHz, 260MHz
Résistance - Base (R1)
1 kOhms, 10 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)
10 kOhms
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