Acheter Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#12 MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

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RJM0603JSC-00#12

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

Numéro d'article

RJM0603JSC-00#12

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tray

Température de fonctionnement

175°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

Puissance - Max

54W

Package d'appareil du fournisseur

20-HSOP

Type FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

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