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RJK03M5DNS-00#J5

RJK03M5DNS-00#J5

MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Numéro d'article
RJK03M5DNS-00#J5
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerWDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-HWSON (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
15W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
25A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Coordonnées
Mots-clés de RJK03M5DNS-00#J5
RJK03M5DNS-00#J5 Composants électroniques
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