Acheter Renesas Electronics America RJK0301DPB-02#J0 MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

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RJK0301DPB-02#J0

MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

Numéro d'article

RJK0301DPB-02#J0

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-100, SOT-669

Package d'appareil du fournisseur

5-LFPAK

Dissipation de puissance (maximum)

65W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

60A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

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