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NP35N04YUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

Numéro d'article

NP35N04YUG-E1-AY

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

8-HSON

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta), 77W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

35A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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