Acheter Renesas Electronics America N0412N-S19-AY MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

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N0412N-S19-AY

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

Numéro d'article

N0412N-S19-AY

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta), 119W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5550pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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