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SK8603150L

MOSFET N-CH 30V 26A 8HSO

Numéro d'article

SK8603150L

Fabricant/Marque

Panasonic Electronic Components

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerSMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

HSO8-F4-B

Dissipation de puissance (maximum)

2.9W (Ta), 34W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

26A (Ta), 89A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 4.38mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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