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FJ6K01010L
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Numéro d'article
FJ6K01010L
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-SMD, Flat Leads
Package d'appareil du fournisseur
WSMini6-F1-B
Dissipation de puissance (maximum)
700mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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