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RFP2N10L

RFP2N10L

MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB
Numéro d'article
RFP2N10L
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
25W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
±10V
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Coordonnées
Mots-clés de RFP2N10L
RFP2N10L Composants électroniques
RFP2N10L Ventes
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