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NVMD4N03R2G
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NVMD4N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Numéro d'article
NVMD4N03R2G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
2W
Package d'appareil du fournisseur
8-SOIC
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 20V
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