Acheter ON Semiconductor NVD6415ANLT4G MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

NVD6415ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4

Numéro d'article

NVD6415ANLT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

23A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1024pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 12228 PCS

Coordonnées

Produits connexes

NVD6414ANT4G

MOSFET N-CH 100V 34A DPAK