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NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Numéro d'article
NVD5865NLT4G
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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