Acheter ON Semiconductor NVD5117PLT4G-VF01 MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

Numéro d'article

NVD5117PLT4G-VF01

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

4.1W (Ta), 118W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Ta), 61A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 33568 PCS

Coordonnées

Produits connexes

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK