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NVD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V DPAK

Numéro d'article

NVD5806NT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

40W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

33A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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