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NTR3A30PZT1G

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Numéro d'article

NTR3A30PZT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

480mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1651pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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