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NTNS3190NZT5G

MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3

Numéro d'article

NTNS3190NZT5G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-XFDFN

Package d'appareil du fournisseur

3-XLLGA (0.62x0.62)

Dissipation de puissance (maximum)

120mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

224mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

15.8pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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