ON Semiconductor
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NTJD1155LT1G
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NTJD1155LT1G

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Numéro d'article
NTJD1155LT1G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Puissance - Max
400mW
Package d'appareil du fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.3A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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