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NTHC5513T1G
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Numéro d'article
NTHC5513T1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
1.1W
Package d'appareil du fournisseur
ChipFET™
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.9A, 2.2A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
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