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FQD10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Numéro d'article

FQD10N20LTM

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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