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FQB22P10TM-F085

FQB22P10TM-F085

MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Numéro d'article
FQB22P10TM-F085
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, QFET®
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D²PAK (TO-263AB)
Dissipation de puissance (maximum)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
22A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de FQB22P10TM-F085
FQB22P10TM-F085 Composants électroniques
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