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FQAF33N10

MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF

Numéro d'article

FQAF33N10

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

SC-94

Package d'appareil du fournisseur

TO-3PF

Dissipation de puissance (maximum)

83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

25.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 12.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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