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FQAF11N90C

MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF

Numéro d'article

FQAF11N90C

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

SC-94

Package d'appareil du fournisseur

TO-3PF

Dissipation de puissance (maximum)

120W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

900V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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