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FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P

Numéro d'article

FQA65N20

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3PN

Dissipation de puissance (maximum)

310W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

65A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V

Vgs (Max)

±30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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