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FQA10N60C
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FQA10N60C

MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P
Numéro d'article
FQA10N60C
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
QFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-3PN
Dissipation de puissance (maximum)
192W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
730 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2040pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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