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FDZ661PZ

MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP

Numéro d'article

FDZ661PZ

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-XFBGA, WLCSP

Package d'appareil du fournisseur

4-WLCSP (0.8x0.8)

Dissipation de puissance (maximum)

1.3W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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