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FDZ375P
MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-XFBGA, WLCSP
Package d'appareil du fournisseur
4-WLCSP (1x1)
Dissipation de puissance (maximum)
1.7W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.7A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
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