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FDV302P

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Numéro d'article

FDV302P

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23

Dissipation de puissance (maximum)

350mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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