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FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Numéro d'article

FDG311N

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-6

Dissipation de puissance (maximum)

750mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

115 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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