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FDD3570

MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Numéro d'article

FDD3570

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252

Dissipation de puissance (maximum)

3.4W (Ta), 69W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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