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FDA20N50-F109

MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

Numéro d'article

FDA20N50-F109

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

UniFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3PN

Dissipation de puissance (maximum)

280W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

22A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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