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FCP220N80
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FCP220N80

MOSFET N-CH 800V 23A
Numéro d'article
FCP220N80
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
SuperFET® II
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220
Dissipation de puissance (maximum)
278W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
23A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 2.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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