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ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH
Numéro d'article
ECH8601M-TL-H-P
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
-
Package d'appareil du fournisseur
8-ECH
Type FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (Vdss)
24V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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