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ECH8309-TL-H
MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
Numéro d'article
ECH8309-TL-H
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareil du fournisseur
8-ECH
Dissipation de puissance (maximum)
1.5W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
9.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1780pF @ 6V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
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