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ATP101-TL-H
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ATP101-TL-H

MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Numéro d'article
ATP101-TL-H
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
ATPAK (2 leads+tab)
Package d'appareil du fournisseur
ATPAK
Dissipation de puissance (maximum)
30W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
25A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
875pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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