Acheter NXP USA Inc. PMV30XN,215 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

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PMV30XN,215

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

Numéro d'article

PMV30XN,215

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

380mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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