Acheter NXP USA Inc. PMV30UN,215 MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

PMV30UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23

Numéro d'article

PMV30UN,215

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

1.9W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 47800 PCS

Coordonnées