Acheter NXP USA Inc. PMN20EN,115 MOSFET N-CH 30V 6TSOP

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PMN20EN,115

MOSFET N-CH 30V 6TSOP

Numéro d'article

PMN20EN,115

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-74, SOT-457

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Dissipation de puissance (maximum)

545mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.7A (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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