Acheter NXP USA Inc. PMG45UN,115 MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

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PMG45UN,115

MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Numéro d'article

PMG45UN,115

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareil du fournisseur

6-TSSOP

Dissipation de puissance (maximum)

375mW (Ta), 4.35W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

184pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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