Acheter NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

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PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Numéro d'article

PMDPB38UNE,115

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Puissance - Max

510mW

Package d'appareil du fournisseur

DFN2020-6

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V

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