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PHX27NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A

Numéro d'article

PHX27NQ11T,127

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)

50W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

110V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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