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PHD77NQ03T,118

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

Numéro d'article

PHD77NQ03T,118

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

107W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

75A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.1nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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