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PHB38N02LT,118

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

Numéro d'article

PHB38N02LT,118

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

57.6W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

44.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 25A, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.1nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 5V

Vgs (Max)

12V

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