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PMZB950UPEYL

PMZB950UPEYL

MOSFET P-CH 20V XQFN3
Numéro d'article
PMZB950UPEYL
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XFDFN
Package d'appareil du fournisseur
DFN1006B-3
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
500mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Mots-clés de PMZB950UPEYL
PMZB950UPEYL Composants électroniques
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