Acheter Nexperia USA Inc. PMZB200UNEYL MOSFET N-CH 30V SOT883

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PMZB200UNEYL

MOSFET N-CH 30V SOT883

Numéro d'article

PMZB200UNEYL

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-XFDFN

Package d'appareil du fournisseur

DFN1006B-3

Dissipation de puissance (maximum)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

89pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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