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PMZB670UPE,315

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Numéro d'article

PMZB670UPE,315

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-XFDFN

Package d'appareil du fournisseur

3-DFN1006B (0.6x1)

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

680mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

87pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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